A2G26H281-04SR3
Opis:
TRANZYSTOR GAN AIRFAST RF
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
125 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780S-4L
Napięcie — test:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
2,496 GHz ~ 2,69 GHz
Osiągać:
14,2 dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780S-4L
Bieżący — Test:
150 mA
Moc - Wyjście:
50 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
A2G26
Wstęp
RF Mosfet 48 V 150 mA 2,496 GHz ~ 2,69 GHz 14,2 dB 50 W NI-780S-4L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: