MRF085HR5
Opis:
RF MOSFET LDMOS 50V NI-650H-4L
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Konfiguracja:
Podwójny
Napięcie — znamionowe:
133 W
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-650H-4L
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,8 MHz ~ 1,215 GHz
Osiągać:
25,6 dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-650H-4L
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
85 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
7µA
Numer produktu podstawowego:
MRF08
Wstęp
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,8 MHz ~ 1,215 GHz 25,6 dB 85 W NI-650H-4L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: