MRF7S19080HSR5
Opis:
FET RF 65 V 1,99 GHz NI-780S
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780S
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,99 GHz
Osiągać:
18dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780S
Bieżący — Test:
750 mA
Moc - Wyjście:
24 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF7
Wstęp
RF Mosfet 28 V 750 mA 1,99 GHz 18 dB 24 W NI-780S
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: