A2V09H400-04NR3
Opis:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
105 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
OM-780-4L
Napięcie — test:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
720 MHz ~ 960 MHz
Osiągać:
17,9 dB
Opakowanie / Pudełko:
OM-780-4L
Bieżący — Test:
688 mA
Moc - Wyjście:
107 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Numer produktu podstawowego:
A2V09
Wstęp
RF Mosfet 48 V 688 mA 720 MHz ~ 960 MHz 17,9 dB 107 W OM-780-4L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: