MRF13750HSR5
Opis:
TRANZYSTOR LDMOS RF MOCY 750 W
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
105 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-1230-4S
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
700 MHz ~ 1,3 GHz
Osiągać:
20,4 dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-1230-4S
Bieżący — Test:
200 mA
Moc - Wyjście:
750 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Numer produktu podstawowego:
MRF13750
Wstęp
RF Mosfet 50 V 200 mA 700 MHz ~ 1,3 GHz 20,4 dB 750 W NI-1230-4S
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: