MHT1108NT1
Opis:
TRANZYSTOR RF POWER LDMOS DLA CO
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
16-DFN (4x6)
Napięcie — test:
32 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
2,45 GHz
Osiągać:
18,6 dB
Opakowanie / Pudełko:
16-VDFN Odsłonięta podkładka
Bieżący — Test:
110 mA
Moc - Wyjście:
12,5 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Numer produktu podstawowego:
MHT11
Wstęp
RF Mosfet 32 V 110 mA 2,45GHz 18,6dB 12,5W 16-DFN (4x6)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: