AFT09MS015NT1
Opis:
RF MOSFET LDMOS 12,5 V PLD1,5 W
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
40 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
PLD-1,5W
Napięcie — test:
12,5 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
870 MHz
Osiągać:
17,2 dB
Opakowanie / Pudełko:
PLD-1,5W
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
16 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
AFT09
Wstęp
RF Mosfet 12,5 V 100 mA 870MHz 17,2 dB 16W PLD-1,5W
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: