BLF8G10L-160,118
Opis:
RF FET LDMOS 65 V 19,7 dB SOT502A
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT502A
Napięcie — test:
30 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
920 MHz ~ 960 MHz
Osiągać:
19,7 dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-502A
Bieżący — Test:
1.1A
Moc - Wyjście:
35 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLF8G10
Wstęp
RF Mosfet 30 V 1,1 A 920 MHz ~ 960 MHz 19,7 dB 35 W SOT502A
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: