BLF888.112
Opis:
RF FET LDMOS 104 V 19DB SOT979A
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
104 V
Pakiet:
Płytka
Konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
CDFM2
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
860MHz
Osiągać:
19dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-979A
Bieżący — Test:
1,3 A
Moc - Wyjście:
250 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLF888
Wstęp
RF Mosfet 50 V 1,3 A 860MHz 19dB 250W CDFM2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: