BLP10H605Z
Opis:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
104 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
12-HVSON (6x5)
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
860MHz
Osiągać:
22,4 dB
Opakowanie / Pudełko:
12-VDFN Odsłonięta podkładka
Bieżący — Test:
30 ma
Moc - Wyjście:
5w
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLP10
Wstęp
RF Mosfet 50 V 30 mA 860 MHz 22,4 dB 5 W 12-HVSON (6x5)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: