MRF6S19200HR5
Opis:
FET RF 66V 1,99GHZ NI780
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
66 W
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780H-2L
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,93 GHz ~ 1,99 GHz
Osiągać:
17,9 dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-957A
Bieżący — Test:
1,6 A
Moc - Wyjście:
56 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF6
Wstęp
RF Mosfet 28 V 1.6 A 1,93GHz ~ 1,99GHz 17,9dB 56W NI-780H-2L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: