CGHV1J025D-GP4
Opis:
RF MOSFET HEMT 40V MATRYCA
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Napięcie — znamionowe:
100 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
GaN
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
umierać
Napięcie — test:
40 V
Mfr:
Wolfspeed spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Częstotliwość:
18 GHz
Osiągać:
17dB
Opakowanie / Pudełko:
umierać
Bieżący — Test:
120 mA
Moc - Wyjście:
25 W
Technologia:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
CGHV1
Wstęp
RF Mosfet 40 V 120 mA 18GHz 17dB 25W
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: