CG2H30070F
Opis:
MOSFET RF HEMT 28V
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Napięcie — znamionowe:
120 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
GaN
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
440224
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Wolfspeed spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Częstotliwość:
0 Hz ~ 4 GHz
Osiągać:
12dB
Opakowanie / Pudełko:
440224
Bieżący — Test:
1A
Moc - Wyjście:
75 W
Technologia:
GaN HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
CG2H30070
Wstęp
RF Mosfet 28 V 1 A 0 Hz ~ 4 GHz 12 dB 75 W 440224
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: