PDTD113ZS,126
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
500 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Pakiet:
Taśma i pudełko (TB)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300 mV przy 2,5 mA, 50 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
TO-92-3
Rezystor - Baza (R1):
1 kOhm
Mfr:
NXP USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
500 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formowane przewody
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numer produktu podstawowego:
PDTD113
Wstęp
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 500 mW przez otwór TO-92-3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: