Wymagania dotyczące:
Opis:
FET RF 4V 4GHZ M04
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Napięcie — znamionowe:
4 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
0,45dB
Zestaw urządzeń dostawcy:
M04
Napięcie — test:
2 V
Mfr:
Cel
Częstotliwość:
4 GHz
Osiągać:
16dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-343F
Bieżący — Test:
15 mA
Moc - Wyjście:
-
Technologia:
GaAs HJ-FET
Prąd znamionowy (ampery):
97 mA
Numer produktu podstawowego:
NE3510
Wstęp
RF Mosfet 2 V 15 mA 4 GHz 16 dB M04
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: