BLS7G3135LS-350P,1
Opis:
RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Wycofane w Digi-Key
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Wyroby masowe
Konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT539B
Napięcie — test:
32 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
3,5 GHz
Osiągać:
10dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-539B
Bieżący — Test:
200 mA
Moc - Wyjście:
320 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLS7G3135
Wstęp
RF Mosfet 32 V 200 mA 3,5 GHz 10 dB 320W SOT539B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: