PTFA072401ELV4R250XTMA1
Opis:
FET RF LDMOS 240W H33288-2
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-33288-2
Napięcie — test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Częstotliwość:
765 MHz
Osiągać:
19dB
Opakowanie / Pudełko:
H-33288-2
Bieżący — Test:
1,8 A
Moc - Wyjście:
220 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wstęp
Mosfet RF 30 V 1,8 A 765 MHz 19 dB 220 W H-33288-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: