MRF8S18120HR5
Opis:
FET RF 65 V 1,81 GHz NI-780
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780H-2L
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,81 GHz
Osiągać:
18,2dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-957A
Bieżący — Test:
800 mA
Moc - Wyjście:
72 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF8
Wstęp
RF Mosfet 28 V 800 mA 1,81 GHz 18,2 dB 72W NI-780H-2L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: