MMRF5017HSR5
Opis:
RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
150 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-400S-2S
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
30 MHz ~ 2,2 GHz
Osiągać:
18,4 dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-400S-2S
Bieżący — Test:
200 mA
Moc - Wyjście:
125 W
Technologia:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MMRF5017
Wstęp
RF Mosfet 50 V 200 mA 30 MHz ~ 2,2 GHz 18,4 dB 125 W NI-400S-2S
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: