BLS6G3135S-120,112
Opis:
RF FET LDMOS 60 V 11DB SOT502B
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
60 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT502B
Napięcie — test:
32 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
3,1 GHz ~ 3,5 GHz
Osiągać:
11dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-502B
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
120 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
7.2A
Numer produktu podstawowego:
BLS6
Wstęp
RF Mosfet 32 V 100 mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11dB 120W SOT502B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: