CGHV37400F
Opis:
400W GAN HEMT 50V 3,3-3,7GHZ FET
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
125 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
GaN
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
440217
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
Wolfspeed spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
Częstotliwość:
3,3 GHz ~ 3,8 GHz
Osiągać:
14dB
Opakowanie / Pudełko:
440217
Bieżący — Test:
1A
Moc - Wyjście:
525 W
Technologia:
HEMT
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
CGHV37400
Wstęp
RF Mosfet 50 V 1 A 3,3 GHz ~ 3,8 GHz 14 dB 525 W 440217
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: