BLP7G22-10Z
Opis:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
12-HVSON (6x4)
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,14 GHz
Osiągać:
16dB
Opakowanie / Pudełko:
12-VDFN Odsłonięta podkładka
Bieżący — Test:
110 mA
Moc - Wyjście:
2W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
BLP7
Wstęp
RF Mosfet 28 V 110 mA 2,14GHz 16dB 2W 12-HVSON (6x4)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: