PTFA191001EV4R250XTMA1
Opis:
IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-36248-2
Napięcie — test:
30 V
Mfr:
Infineon Technologies
Częstotliwość:
1,96 GHz
Osiągać:
17dB
Opakowanie / Pudełko:
2-płaskie opakowanie, przewody płetwowe
Bieżący — Test:
900 mA
Moc - Wyjście:
44dBm
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Numer produktu podstawowego:
PTFA191001
Wstęp
RF Mosfet 30 V 900 mA 1,96GHz 17dB 44dBm H-36248-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: