MRF6S19120HR3
Opis:
FET RF 68 V 1,99 GHz NI-780
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
68 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780H-2L
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
1,99 GHz
Osiągać:
15dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-957A
Bieżący — Test:
1A
Moc - Wyjście:
19W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRF6
Wstęp
Mosfet RF 28 V 1 A 1,99 GHz 15 dB 19 W NI-780H-2L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: