PD20010S-E
Opis:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Napięcie — znamionowe:
40 V
Pakiet:
rurka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
PowerSO-10RF (prosty przewód)
Napięcie — test:
13,6 V
Mfr:
STMikroelektronika
Częstotliwość:
2 GHz
Osiągać:
11dB
Opakowanie / Pudełko:
Odsłonięta podkładka dolna PowerSO-10RF (2 proste przewody)
Bieżący — Test:
150 mA
Moc - Wyjście:
10w
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
5A
Numer produktu podstawowego:
PD20010
Wstęp
RF Mosfet 13,6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: