RN1104CT(TPL3)
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
50 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
150mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
20 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
CST3
Rezystor - Baza (R1):
47 kiloomów
Mfr:
Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
50 mW
Opakowanie / Pudełko:
SC-101, SOT-883
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
RN1104
Wstęp
Bipolarny tranzystor (BJT) NPN - 20 V 50 mA 50 mW CST3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: