AFV121KHR5
Opis:
IC TRANS RF LDMOS
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
112 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Konfiguracja:
Podwójny
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-1230-4H
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
960 MHz ~ 1,22 GHz
Osiągać:
19,6 dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-979A
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
1000 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
AFV121
Wstęp
RF Mosfet 50 V 100 mA 960 MHz ~ 1,22 GHz 19,6 dB 1000 W NI-1230-4H
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: