MMRF1305HSR5
Opis:
FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780S-4
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
133 W
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Konfiguracja:
Podwójny
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780S-4L
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
512 MHz
Osiągać:
26dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780S-4L
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
100w
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MMRF1305
Wstęp
RF Mosfet 50 V 100 mA 512MHz 26dB 100W NI-780S-4L
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: