BLD6G22L-50,112
Opis:
RF FET LDMOS 65 V 14DB SOT1130A
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
Konfiguracja:
Podwójne, wspólne źródło
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
CDFM4
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,14 GHz
Osiągać:
14dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-1130A
Bieżący — Test:
170 mA
Moc - Wyjście:
8W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10,2A
Wstęp
RF Mosfet 28 V 170 mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: