A3G26D055N-100
Opis:
OBWÓD ZADANY RF 25 W 100-2800 MHZ
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
125 V
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
6-PDFN (7x6,5)
Napięcie — test:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
100 MHz ~ 2,69 GHz
Osiągać:
13,9 dB
Opakowanie / Pudełko:
Odsłonięta podkładka 6-LDFN
Bieżący — Test:
40 mA
Moc - Wyjście:
8W
Technologia:
GaN
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wstęp
RF Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2,69GHz 13,9 dB 8W 6-PDFN (7x6,5)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: