PTVA101K02EVV1XWSA1
Opis:
IC AMP RF LDMOS
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
50 V
Pakiet:
Płytka
Konfiguracja:
Podwójny
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-36275-4
Mfr:
Infineon Technologies
Częstotliwość:
1,03 GHz ~ 1,09 GHz
Osiągać:
17,5 dB
Opakowanie / Pudełko:
H-36275-4
Moc - Wyjście:
950 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Wstęp
RF Mosfet 1,03 GHz ~ 1,09 GHz 17,5 dB 950 W H-36275-4
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: