BLF6G22LS-130,112
Opis:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT502B
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Ampleon USA Inc.
Częstotliwość:
2,11 GHz ~ 2,17 GHz
Osiągać:
17dB
Opakowanie / Pudełko:
SOT-502B
Bieżący — Test:
1.1A
Moc - Wyjście:
30 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
34A
Numer produktu podstawowego:
BLF6G22
Wstęp
RF Mosfet 28 V 1,1 A 2,11 GHz ~ 2,17 GHz 17 dB 30 W SOT502B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: