PTFA241301F V1
Opis:
IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
GOLDMOS®
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
H-31260-2
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
Infineon Technologies
Częstotliwość:
2,42 GHz
Osiągać:
14dB
Opakowanie / Pudełko:
2-płaskie, przewody żeberkowe, kołnierzowe
Bieżący — Test:
1,15 A
Moc - Wyjście:
130 W
Technologia:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
10µA
Wstęp
Mosfet RF 28 V 1,15 A 2,42 GHz 14 dB 130 W H-31260-2
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: