UNRL11100A
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
PNP – wstępnie obciążony
Częstotliwość - Przejście:
80MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR) Taśma cięta (CT)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
250mV przy 300µA, 10mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
ML4-N1
Rezystor - Baza (R1):
10 kiloomów
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
150 mW
Opakowanie / Pudełko:
SC-103
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
35 @ 5 mA, 10 V
Numer produktu podstawowego:
UNRL11
Wstęp
Bipolarny tranzystor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Nawierzchnia ML4-N1
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: