UNR422100A
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 300MW NS-B1
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
500 mA
Status produktu:
Nieprzydatne
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Częstotliwość - Przejście:
200 MHz
Rodzaj montażu:
Przez dziurę
Pakiet:
Taśma cięta (CT) Taśma i pudełko (TB)
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
250 mV @ 5 mA, 100 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
NS-B1
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Komponenty elektroniczne Panasonic
Rezystor – podstawa emitera (R2):
2,2 kOhm
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1µA
Moc — maks:
300 mW
Opakowanie / Pudełko:
3-SIP
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
40 @ 100 mA, 10 V
Numer produktu podstawowego:
UNR422
Wstęp
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: