DTC123JMT2L
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Częstotliwość - Przejście:
250MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300mV przy 250µA, 5mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
VMT3
Rezystor - Baza (R1):
2,2 kOhm
Mfr:
Rohm Semiconductor
Rezystor – podstawa emitera (R2):
47 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
150 mW
Opakowanie / Pudełko:
SOT-723
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
80 @ 10 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
DTC123
Wstęp
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: