FF400R07KE4HOSA1
Opis:
MODUŁ IGBT 650V 1250W
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,95 V przy 15 V, 400 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
650 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C
Moc — maks:
1250 W
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
26 nF przy 25 V
Konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
FF400R07
Wstęp
Moduł IGBT Trench Field Stop 2 Niezależny 650 V 1250 W Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: