DF80R12W2H3FB11BPSA1
Opis:
IGBT MOD 1200 V 20 A 20 MW
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
20 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
EconoPACK™ 2
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,7 V przy 15 V, 20 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
20 mW
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
2,35 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Tak, tak.
Numer produktu podstawowego:
DF80R12
Wstęp
Moduł IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 20 A 20 mW Moduł montażu podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: