MG1250S-BA1MM
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
80 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł S-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,8 V przy 15 V, 50 A (typ)
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
S3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500µA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
500 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
4,29 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Wstęp
Moduł IGBT pół mostek 1200 V 80 A 500 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: