MG12150D-BA1MM
Opis:
MODUŁ IGBT 1200V 210A 1100W D3
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
210 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,8 V przy 15 V, 150 A (typ)
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
D3
Mfr:
Littelfuse Inc.
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
1mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
1100 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
11 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Pół mostu
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Wstęp
Moduł IGBT pół mostek 1200 V 210 A 1100 W Podwozie mocowane D3
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: