F475R12KS4BOSA1
Opis:
IGBT MOD 1200 V 100 A 500 W
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
100 A
Status produktu:
Wycofane w Digi-Key
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,75 V przy 15 V, 75 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
Moduł
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 125°C
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
5mA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
500 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
5,1 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
- Tak, tak.
Numer produktu podstawowego:
F475R12
Wstęp
Moduł IGBT Trójfazowy Inwerter 1200 V 100 A 500 W Moduł podwozia
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: