VS-GB90SA120U
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
149 A
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
rurka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
SOT-227-4
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
3,9 V przy 15 V, 75 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SOT-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
250µA
Typ IGBT:
NPT
Moc — maks:
862 W
Wpływ:
Standardowy
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguracja:
Samotny
Termistor NTC:
- Nie, nie.
Numer produktu podstawowego:
GB90
Wstęp
Moduł IGBT NPT pojedynczy 1200 V 149 A 862 W
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: