NXH450B100H4Q2F2PG
Opis:
1000 V, 75 A FSIII IGBT, ŚREDNIA PRĘDKOŚĆ
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
101 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
2,25 V przy 15 V, 150 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1000 W
Zestaw urządzeń dostawcy:
56-PIM (93x47)
Mfr:
pół
Temperatura pracy:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
600µA
Typ IGBT:
-
Moc — maks:
234 W
Wpływ:
Standardowy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
9,342 nF przy 20 V
Konfiguracja:
2 niezależne
Termistor NTC:
- Tak, tak.
Wstęp
Moduł IGBT 2 Niezależny 1000 V 101 A 234 W Podwozia 56-PIM (93x47)
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: