FP50R12N2T7PBPSA1
Opis:
MODUŁ IGBT PIM 1200 V, 50 A
Kategoria:
Układ scalony TI
In-stock:
w magazynie
Metoda płatności:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory IGBT Moduły IGBT
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
50 A
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
EconoPIM™ 2, TRENCHSTOP™
Opakowanie / Pudełko:
Moduł
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
1,85 V przy 15 V, 25 A
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
1200 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
AG-ECONO2B
Mfr:
Infineon Technologies
Temperatura pracy:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
4µA
Typ IGBT:
Przystanek pola okopowego
Moc — maks:
20 mW
Wpływ:
Trójfazowy mostek prostowniczy
Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce:
11,1 nF przy 25 V
Konfiguracja:
Falownik trójfazowy
Termistor NTC:
- Tak, tak.
Wstęp
Moduł IGBT Trench Field Stop Trójfazowy Inwerter 1200 V 50 A 20 mW Podwozie AG-ECONO2B
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
In Stock
MOQ: